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晶体管
ALD910023SAL参考图片

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ALD910023SAL

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库存:4,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.6624
27.6624
10
¥24.747
247.47
25
¥22.2836
557.09
50
¥21.6734
1083.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10.6 V
Id-连续漏极电流
1 uA
Rds On-漏源导通电阻
2.3 MOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.28 V
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
SAB
封装
Tube
系列
ALD910023S
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,ALD910023SAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
3,000:¥4.3392
参考库存:9302
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:6619
晶体管
MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
1:¥50.3302
10:¥45.4938
25:¥43.3355
100:¥37.6516
3,000:¥27.5042
参考库存:19286
晶体管
MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
1:¥14.3736
10:¥11.9102
100:¥9.2208
500:¥8.1473
800:¥6.6896
参考库存:7078
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
2,000:¥16.6788
4,000:查看
参考库存:14365
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