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晶体管

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BSC007N04LS6ATMA1

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数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.6787
1467.87
500
¥12.8368
6418.4
5,000
¥9.5259
47629.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
700 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
94 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
300 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SP001629650
商品其它信息
优势价格,BSC007N04LS6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMOS-DUAL
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,500:¥2.1244
参考库存:29521
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:84678
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trans
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
参考库存:7565
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:9682
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥46.0249
10:¥39.1093
100:¥33.8887
250:¥32.1937
500:¥28.8941
参考库存:4689
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