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晶体管
STF100N10F7参考图片

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STF100N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
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数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.3733
8373.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STF100N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF100N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥44.3412
10:¥37.6516
100:¥32.657
250:¥30.962
参考库存:11536
晶体管
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
4,000:¥11.9102
8,000:查看
参考库存:13943
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:8145
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥35.6515
10:¥28.6568
100:¥26.1256
250:¥23.5944
参考库存:3927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:56354
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