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晶体管
ALD212902SAL参考图片

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ALD212902SAL

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库存:4,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥30.0467
300.467
25
¥27.0522
676.305
50
¥26.3516
1317.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
180 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD212902S
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,ALD212902SAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.6842
25:¥10.5316
100:¥9.2208
参考库存:34661
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥398.1103
5:¥376.5951
10:¥372.2898
25:¥344.2432
参考库存:34666
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥172.7318
5:¥164.0534
10:¥159.7481
25:¥146.8435
参考库存:34671
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 1A TR
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
8,000:¥1.4351
24,000:查看
参考库存:34676
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
5,000:¥6.2037
10,000:查看
参考库存:34681
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