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晶体管
SUP90P06-09L-E3参考图片

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SUP90P06-09L-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
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库存:31,630(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.0304
43.0304
10
¥35.6515
356.515
100
¥29.3574
2935.74
250
¥28.4308
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
240 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
300 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SUP90P06-09L-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17078
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥4.5991
参考库存:110550
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:74387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:58639
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated DC/DC Converter
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:18036
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