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晶体管
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IKD06N60RF

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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
1,000
¥5.1076
5107.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RFATMA1 IKD6N6RFXT SP000939364
单位重量
333 mg
商品其它信息
优势价格，IKD06N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD80N3LL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:45539
DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0566
参考库存:45544
2N3495
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
1:¥78.6028
10:¥77.7666
25:¥72.0036
100:¥66.1615
参考库存:7032
MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:45551
TC8020K6-G M937
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET
3,000:¥47.9459
参考库存:45556
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