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晶体管
SBC857BDW1T1G参考图片

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SBC857BDW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
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数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.4012
14.012
100
¥0.49155
49.155
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC857BDW1
直流电流增益 hFE 最大值
475 at - 2 mA, - 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at - 2 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:47006
SE9405
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达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:47011
DMN6040SK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥2.5425
参考库存:47016
DMT4008LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:23324
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