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晶体管
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IPD65R190C7ATMA1

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数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPD65R190C7 SP000928648
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD65R190C7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP20N60M2-EP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1,000:¥8.2264
2,000:¥7.684
5,000:¥7.4015
10,000:¥7.1077
参考库存:46728
SI3471DV-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 6.8A 1.1W
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:46733
BUK762R0-40E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
4,800:¥7.1755
9,600:¥6.9043
参考库存:46738
DMC9610M0R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:46743
DDTA115GCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:46748
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