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晶体管
SCH2080KEC参考图片

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SCH2080KEC

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/ SBD 1200V
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数量单价合计
1
¥279.5394
279.5394
5
¥276.7031
1383.5155
10
¥257.8773
2578.773
25
¥246.2722
6156.805
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 22 V
Qg-栅极电荷
106 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
262 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCH2x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3.7 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
37 ns
零件号别名
SCH2080KE
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SCH2080KEC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:14347
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:5379
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50A 80V 300W NPN
1:¥115.1809
10:¥105.9601
20:¥101.5079
100:¥89.4395
参考库存:5686
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:84603
晶体管
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
1:¥41.6518
10:¥35.4255
100:¥30.6569
250:¥29.1201
3,000:¥20.905
参考库存:19420
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