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晶体管
STW27N60M2-EP参考图片

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STW27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥33.6514
336.514
100
¥29.1992
2919.92
250
¥27.6624
6915.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
商品其它信息
优势价格，STW27N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK65E10N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
1:¥20.5208
10:¥16.5206
50:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:3889
CSD23382F4T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2204
250:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:11741
HFA3096BZ
Renesas / Intersil
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
参考库存:4168
FQB22P10TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
800:¥5.7065
2,400:¥5.4353
参考库存:21805
DTC144EM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:79447
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