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晶体管
SIHD6N65E-GE3参考图片

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SIHD6N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
E
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHD6N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:53824
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:1306
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:12793
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:46735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥168.822
5:¥161.2058
10:¥156.2112
25:¥143.5326
参考库存:2155
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