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晶体管
TPN7R506NH,L1Q参考图片

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TPN7R506NH,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
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1
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7.2207
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9211
1960.55
5,000
¥2.7459
13729.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN7R506NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
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