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晶体管
FCPF380N60-F152参考图片

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FCPF380N60-F152

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1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10.2 A
Rds On-漏源导通电阻
330 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FCPF380N60_F152
单位重量
2.565 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMBT8099
Rectron
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