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晶体管
TN2106N3-G参考图片

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TN2106N3-G

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库存:22,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.2431
81.0775
100
¥2.9267
292.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN2106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 50V 200mA N-Channel
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:1742678
晶体管
MOSFET P-CH Pwr MOSFET 60V 100A 5.8mOhm
1:¥32.3519
10:¥27.5042
100:¥23.8204
250:¥22.5887
800:¥17.1308
2,400:查看
参考库存:4755
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD10/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
5,000:¥0.42262
参考库存:28197
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:43349
晶体管
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.4634
参考库存:22101
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