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晶体管
DMN2028UFDH-7参考图片

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DMN2028UFDH-7

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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9832
29.832
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3030-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
8.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2028
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
234 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
77 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
561 ns
典型接通延迟时间
53 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2028UFDH-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.20001
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:46327
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 50mA 400mW 2.3mW
124:¥52.8614
500:¥48.1832
1,000:¥41.9569
参考库存:46332
晶体管
IGBT 模块
1:¥84.9873
10:¥76.7609
25:¥73.224
100:¥63.5512
参考库存:46337
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:46342
晶体管
MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal
800:¥8.2264
2,400:¥7.684
4,800:¥7.4015
9,600:¥7.1077
参考库存:46347
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