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晶体管
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STGB3NC120HDT4

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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26.894
10
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228.26
100
¥19.8202
1982.02
250
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1,000
¥14.2154
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
75 W
系列
STGB3NC120HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGB3NC120HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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2:¥393.9632
5:¥383.1265
10:¥372.1316
参考库存:37652
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