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晶体管
STGF20M65DF2参考图片

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STGF20M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:9,308(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
32.6 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGF20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:35494
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.60V
1:¥38.194
10:¥34.1938
25:¥30.736
50:¥29.9676
参考库存:35499
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:35504
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 1A
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05994
参考库存:35509
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:35514
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