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射频晶体管

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MHT1004NR3

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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库存:38,658(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥841.7822
210445.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.2 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Reel
工作频率
2.45 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
833 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935316281528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MHT1004NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥977.9472
参考库存:34395
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1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
10,000:¥0.9379
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10:¥422.62
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50:¥338.096
参考库存:34409
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