| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
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1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
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参考库存:7528
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320GN/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
500:¥214.7678
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参考库存:36312
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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250:¥908.1697
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参考库存:36303
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:36274
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥693.4019
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参考库存:36269
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
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1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
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参考库存:36252
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,475.6331
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参考库存:36247
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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1:¥1,970.2567
5:¥1,926.2997
10:¥1,886.9644
25:¥1,859.0647
50:¥1,791.5246
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参考库存:36176
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,203.75
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参考库存:2789
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
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1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
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参考库存:4410
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥892.8808
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参考库存:36126
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2
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250:¥723.7537
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参考库存:36116
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
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1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
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参考库存:36106
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S200W02S/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥650.2924
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参考库存:36101
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,170.0472
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参考库存:36086
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
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250:¥636.1561
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参考库存:36037
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:36023
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥700.0124
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参考库存:36018
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:36009
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1318N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥610.9571
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参考库存:35982
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