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射频晶体管

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MRF6VP3450HSR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
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数量单价合计
1
¥1,433.2242
1433.2242
5
¥1,401.2565
7006.2825
10
¥1,372.5884
13725.884
25
¥1,352.3049
33807.6225
50
¥1,303.2064
65160.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Source
高度
5.08 mm
长度
32.38 mm
系列
MRF6VP3450H
类型
RF Power MOSFET
宽度
10.29 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935314024178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，MRF6VP3450HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:37930
BLX13C
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1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:37935
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暂无价格
参考库存:37940
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
500:¥109.6552
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PXAC200902FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥408.8679
250:¥408.8679
参考库存:37947
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