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无线和射频半导体
CGHV60170D参考图片

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CGHV60170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
-
Id-连续漏极电流
12.6 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
5400 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
CGHV60170D-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MW7IC2040NR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 HV7 1990MHz WB16 Plastic
1:¥504.4546
5:¥477.2555
10:¥470.419
25:¥436.3721
500:¥345.4749
参考库存:30773
T1G4004532-FS
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:1235
VRF154FL
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,042.4863
2:¥1,993.3087
5:¥1,964.1095
10:¥1,936.368
参考库存:1177
MAX2067ETL+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 Dl 50-1000MHz Hi-Lin Analog/Digital VGA
1:¥131.7015
10:¥124.3226
25:¥99.4287
50:¥94.5132
2,500:¥59.9352
参考库存:30782
TH72011KDC-BAA-000-SP
Melexis
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz FSK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:1544
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