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无线和射频半导体

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BFP 740F H6327

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1
¥3.6838
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10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
13 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.4 mm
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.8 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FH6327XTSA1 BFP74FH6327XT SP000750416
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 740F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8S7235NR3
NXP / Freescale
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TQP887052
Qorvo
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射频前端 5.15-5.85MHz FE for 802.11acn apps
2,500:¥14.5996
5,000:¥5.8647
10,000:¥5.4805
参考库存:43810
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