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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	14 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	1 A
输出功率	14 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	15.8 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.5 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113812

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LMH5401IRMST	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 8GHz 14-UQFN -40 to 85	1:¥115.1018 10:¥105.881 25:¥100.3553 100:¥89.3604 250:¥84.9873	参考库存:5075
ARF446G	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥362.6057 2:¥352.7747 5:¥343.0115 10:¥333.2596	参考库存:2032
SI4467-A2A-IM	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 TXRX SubG +20dBm	1:¥22.8938 10:¥21.6734 25:¥20.9728 50:¥20.3626	参考库存:5729
ADF4153BRUZ-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer	1:¥45.1774 10:¥40.341 25:¥36.273 50:¥34.578 1,000:¥26.894	参考库存:3931
CC2538SF53RTQR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per	1:¥67.6192 10:¥61.0878 25:¥56.5565 100:¥50.5562 2,000:¥36.9623	参考库存:5218