ADRF6518ACPZ-R7详细参数_参考价格_ADRF6518ACPZ-R7 PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-32
类型	Variable Gain Amplifier
技术	Silicon
工作频率	300 MHz to 1100 MHz
工作电源电压	3.3 V
工作电源电流	400 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	ADRF6518
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	Variable Gain Amplifiers
商标	Analog Devices
通道数量	2 Channel
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI4063-C2A-GM	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 TX SubG +20dBm	1:¥16.4415 10:¥15.9782 25:¥15.8313 50:¥15.4471	参考库存:3600
BFP 840ESD H6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS	1:¥3.5369 10:¥2.938 100:¥1.7967 1,000:¥1.3899 3,000:¥1.1865	参考库存:12862
EFR32MG1B232F256GM32-C0R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN-32, mesh	1:¥46.33 10:¥43.7197 25:¥42.4202 50:¥41.1885 2,500:¥34.7362	参考库存:31872
A3T23H300W23SR6	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥737.664 5:¥724.1379 10:¥691.56 25:¥668.508 100:¥622.4831 150:¥570.3788	参考库存:2899
HMC374	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs pHEMT MMIC lo Noise amp, 0.3-3GHz	1:¥69.4611 10:¥62.4664 25:¥58.7826 50:¥55.2457	参考库存:2201