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无线和射频半导体
TGF2819-FL参考图片

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TGF2819-FL

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格，TGF2819-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32HG320F64R61G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M0+, USB, +17 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
1:¥32.7361
10:¥30.8942
25:¥30.0467
50:¥29.1201
参考库存:5031
HMC346ALC3B
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥792.6046
5:¥767.0892
10:¥751.7212
25:¥721.0643
参考库存:1848
CC1260RGZT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 射频收发器
1:¥81.2244
10:¥74.693
25:¥70.851
100:¥63.0879
250:¥60.0143
参考库存:2850
AD8364ACPZ-REEL7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 LF to 2.7 GHz DUAL 60dB
1:¥128.0968
10:¥116.2544
25:¥109.271
50:¥105.1917
1,500:¥74.7608
参考库存:9137
CGH27015F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:2044
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