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无线和射频半导体
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D2214UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥336.2541
16812.705
100
¥325.1123
32511.23
250
¥319.5753
79893.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Flangeless DP
配置
Single
高度
3.56 mm
长度
6.35 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2214UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 8GHz 14-UQFN -40 to 85
1:¥115.1018
10:¥105.881
25:¥100.3553
100:¥89.3604
250:¥84.9873
参考库存:5075
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:2032
无线和射频半导体
射频收发器 TXRX SubG +20dBm
1:¥22.8938
10:¥21.6734
25:¥20.9728
50:¥20.3626
参考库存:5729
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,000:¥26.894
参考库存:3931
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per
1:¥67.6192
10:¥61.0878
25:¥56.5565
100:¥50.5562
2,000:¥36.9623
参考库存:5218
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