EFR32FG1P131F128GM32-C0详细参数_参考价格_EFR32FG1P131F128GM32-C0 PDF资料_Silicon Labs

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Silicon Laboratories
产品种类	RF片上系统 - SoC
RoHS	是
类型	Bluetooth
核心	ARM Cortex M4
工作频率	Sub-GHz
最大数据速率	2 Mb/s
输出功率	19.5 dBm
灵敏度	- 89.2 dBm, - 92.5 dBm
工作电源电压	3.3 V
接收供电电流	9.8 mA
传输供电电流	8.2 mA
程序存储器大小	128 kB
工作温度范围	- 40 C to + 85 C
封装 / 箱体	QFN-32
高度	0.85 mm
长度	5 mm
程序存储器类型	Flash
系列	EFR32FG1
宽度	5 mm
商标	Silicon Labs
数据 RAM 大小	32 kB
数据 Ram 类型	RAM
接口类型	I2C, I2S, SMBus, SPI, UART
安装风格	SMD/SMT
输入/输出端数量	16 I/O
ADC分辨率	12 bit
数据总线宽度	32 bit
最大时钟频率	40 MHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
定时器数量	2 Timer
处理器系列	EFR32FG1
产品类型	RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	EFR32

商品其它信息

优势价格，EFR32FG1P131F128GM32-C0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ARA2017RS29P8	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 PROGRAMMABLE GAIN AMPLIFIER	1:¥47.2566 10:¥42.262 25:¥38.0358 100:¥34.6571 2,500:¥21.357	参考库存:29863
BFU550AVL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.6838 10:¥2.3843 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 10,000:¥0.52997	参考库存:29868
TGA3500-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-12GHz NF 3dB Gain 34dB	25:¥1,129.7062	参考库存:29873
NBB-400-SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz	100:¥67.235	参考库存:29878
AGR18030EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB	1:¥457.198 5:¥419.5464 10:¥376.516 25:¥333.4856	参考库存:29883