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无线和射频半导体
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:38,134(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格,A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 4GHz 36dB Iso CMOS Dual SPDT
1:¥37.0414
10:¥33.0412
25:¥29.7416
50:¥28.3517
参考库存:5277
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.8GHz SSG 34dB NF 5db P1dB 33.5dBm
1:¥156.2903
25:¥119.7122
100:¥93.5188
250:¥77.4502
500:¥69.5402
1,000:¥61.0087
参考库存:6089
无线和射频半导体
射频混合器 aAs Sub Harm IRM Mix Chip, 26 - 33 GHz
25:¥170.0424
100:¥161.59
250:¥154.1433
500:¥146.6853
参考库存:4546
无线和射频半导体
衰减器 10-4000MHz Attn 30dB Quad Pi Attenuator
1:¥11.526
10:¥9.2999
100:¥7.1303
500:¥6.328
3,000:¥4.294
参考库存:16718
无线和射频半导体
射频前端 850 - 950MHz 射频前端
1:¥23.052
10:¥20.7468
100:¥16.9839
250:¥15.9104
500:¥14.4414
参考库存:16220
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