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无线和射频半导体
QPD1881L参考图片

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QPD1881L

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
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数量单价合计
25
¥2,151.52
53788
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
21.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
13 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
237 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1881LEVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1881L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
1:¥224.757
5:¥214.926
10:¥207.3889
25:¥180.9582
500:¥156.0643
参考库存:3651
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Series Pair
1:¥5.763
10:¥5.2093
25:¥4.4974
100:¥4.068
3,000:¥2.3956
参考库存:17288
无线和射频半导体
射频放大器 315MHz/433MHz for RKE
1:¥15.2889
10:¥13.7521
25:¥12.2944
50:¥8.9948
2,500:¥6.1698
参考库存:9260
无线和射频半导体
射频发射器 280-450MHz Prog ASK/FSK Transmitter
1:¥24.6679
25:¥17.5941
100:¥17.063
250:¥16.3624
参考库存:3832
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:42639
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