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无线和射频半导体
AFT20S015GNR1参考图片

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AFT20S015GNR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
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1
¥224.757
224.757
5
¥214.926
1074.63
10
¥207.3889
2073.889
25
¥180.9582
4523.955
500
¥156.0643
78032.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
132 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.6 dB
输出功率
1.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
100 MHz to 3.6 GHz
系列
AFT20S015N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
11 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314968528
单位重量
548 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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