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无线和射频半导体
PXAC261212FC-V1-R0参考图片

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PXAC261212FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:46,330(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥640.5405
32027.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
280 mA
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
增益
15 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.6 V
商品其它信息
优势价格,PXAC261212FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.5dB Gain 20.4dB
1:¥18.9049
25:¥14.2154
100:¥11.1418
250:¥9.1417
3,000:¥7.0738
参考库存:14812
无线和射频半导体
射频放大器 1:4 Single Ended Active RF Splitter
1:¥32.1937
10:¥28.7359
25:¥25.8996
50:¥24.6679
1,500:¥15.6731
参考库存:9539
无线和射频半导体
射频放大器 VGLNA
1:¥121.023
10:¥109.8021
25:¥103.1916
50:¥99.3496
1,500:¥70.6137
参考库存:9496
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0
1:¥32.9621
10:¥26.5098
100:¥24.1255
250:¥21.8203
5,000:¥15.0629
参考库存:28713
无线和射频半导体
射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz
1:¥112.3446
25:¥86.0608
100:¥67.235
250:¥55.709
1,000:¥43.8779
参考库存:30770
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