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无线和射频半导体
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MRF5812LF-CP

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数量单价合计
100
¥111.3389
11133.89
200
¥86.6032
17320.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MRF5812LF
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
-
配置
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
封装
Bulk
工作频率
5 GHz
输出功率
-
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
200 mA
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，MRF5812LF-CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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