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无线和射频半导体
A3T18H455W23SR6参考图片

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A3T18H455W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:44,372(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥873.7499
131062.485
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.7 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935354975128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
优势价格,A3T18H455W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥254.8037
5:¥243.3568
10:¥235.7406
25:¥216.6097
参考库存:2914
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 100MHz 10 COM Programable
1:¥282.0028
5:¥268.714
10:¥260.8718
25:¥239.7408
参考库存:3136
无线和射频半导体
射频接收器 Fully Integrated GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS Receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥80.682
10:¥74.2297
25:¥71.1561
100:¥62.6246
参考库存:3188
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 9 - 16 GHz Fout
1:¥383.6576
5:¥372.0638
10:¥360.4587
25:¥348.7745
参考库存:2770
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 256 kB M4, +13/ 20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
1:¥56.0932
10:¥53.0196
25:¥51.4828
50:¥49.8669
参考库存:2957
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