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无线和射频半导体
HMC451LC3TR参考图片

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HMC451LC3TR

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数量单价合计
1
¥429.3096
429.3096
5
¥416.3146
2081.573
10
¥403.2518
4032.518
25
¥390.2681
9756.7025
100
¥361.6904
36169.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-40
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
20 GHz
P1dB - 压缩点
19.5 dBm
增益
19 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
7 dB
OIP3 - 三阶截点
32 dBm
工作电源电流
82 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC451G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
频率范围
DC to 4 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
18 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
0.546 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
117.300 mg
商品其它信息
优势价格,HMC451LC3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 50MHz-1000MHz 18.8dBm, 15.1dB
1:¥20.0575
25:¥15.368
100:¥11.9893
250:¥9.9892
2,500:¥6.8365
参考库存:14171
无线和射频半导体
射频放大器 Low Distortion RF/IF IC
1:¥50.3302
10:¥45.3356
25:¥42.6462
50:¥40.0359
1,000:¥27.8206
参考库存:21708
无线和射频半导体
射频放大器 .4-20GHz Gain 10dB P1dB 13dBm typ.
1:¥75.4614
10:¥67.9243
25:¥61.7771
100:¥55.8672
1,000:¥39.4935
参考库存:4605
无线和射频半导体
射频放大器 WCDMA Band 1
1:¥14.5996
2,500:¥14.5996
5,000:¥5.8647
10,000:¥5.4805
参考库存:14212
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-2GHz IL 1dB Iso 23dB
1:¥38.1149
10:¥34.2729
25:¥30.962
50:¥29.3574
3,000:¥18.984
参考库存:16714
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