您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
2SK3079ATE12LQ参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:43,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
优势价格,2SK3079ATE12LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:6931
无线和射频半导体
射频混合器 85 - 4200 MHz LO
1:¥163.7483
25:¥125.4752
100:¥98.0501
250:¥81.2922
2,500:¥56.0141
参考库存:17208
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 2.4 G 19 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 16GPIO SoC
1:¥39.4935
10:¥38.8042
25:¥38.0358
50:¥36.5781
参考库存:6410
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect Chipset WINC1500 - SmartConnect Chipset WINC1500
1:¥51.867
10:¥47.8668
25:¥43.8779
50:¥42.036
参考库存:16507
无线和射频半导体
锁相环 - PLL WB Synthesizer w/ Intg VCO
1:¥97.971
10:¥88.9084
25:¥83.5296
50:¥80.456
1,500:¥57.1667
参考库存:23589
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号