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无线和射频半导体
QPL1002SR参考图片

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QPL1002SR

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频放大器 0.03 3 GHz GaN LNA
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数量单价合计
100
¥279.4716
27947.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
LNA
技术
GaN
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
P1dB - 压缩点
23 dBm
增益
17 dB
工作电源电压
12 V
NF—噪声系数
1.2 dB
工作电源电流
50 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Reel
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
QPL1002EVB
输入返回损失
12 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,QPL1002SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Integer-N/Fract N PLL
3,000:¥63.5512
参考库存:32075
无线和射频半导体
射频放大器 1800-2200 MHz used for Band 1
1:¥1,641.9126
5:¥1,553.3206
10:¥1,531.037
25:¥1,420.0823
参考库存:32080
无线和射频半导体
射频接收器 Fully Integrated GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/QZSS Receiver with embedded RF and in-package Flash
1:¥73.1562
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7146
参考库存:32085
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC LNA 7 - 12 GHz
2:¥690.3283
6:¥668.0447
10:¥654.6768
26:¥628.0088
参考库存:32090
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.915
5:¥218.6098
10:¥203.7842
25:¥194.7103
600:¥157.9853
参考库存:32095
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