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无线和射频半导体
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PTFB090901FA-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥329.3385
16466.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901FA-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH3135-65M
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,235.7389
25:¥2,155.136
参考库存:38273
F1969NBGI
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1969 RF Switch
490:¥69.156
980:¥62.8506
1,470:¥56.5565
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NB4N441MNR2G
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无线和射频半导体
锁相环 - PLL MLTPRTCL PLL CLK SYN
3,000:¥46.1831
参考库存:38283
HMC441LC3BTR-R5
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无线和射频半导体
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500:¥349.7802
参考库存:38288
MAAP-011246-TR0500
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 27.5-31.5GHz Gain 23dB P1dB 30dBm
500:¥350.4695
参考库存:38293
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