QPD0050TR7详细参数_参考价格_QPD0050TR7 PDF资料_Qorvo

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	19.4 dB
输出功率	75 W
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 3.6 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132691

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MDS800	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥4,819.8681 5:¥4,529.4129	参考库存:1754
ATA8202C-PXQW	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 Switchable Rx-IC For Ind 433MHz	1:¥38.3409 10:¥34.4989 25:¥31.2784 50:¥29.3574	参考库存:31434
HMC8142	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 81-86GHz 0.5W PA	25:¥1,015.1355 50:¥1,008.9092	参考库存:1836
BAP51-06W,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 50V 50mA Single	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.71416	参考库存:24053
QPD1014SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN	1:¥445.672 25:¥391.884 100:¥345.78 200:¥315.044	参考库存:2080