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无线和射频半导体
MRFX1K80N-230MHZ参考图片

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MRFX1K80N-230MHZ

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ
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1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935373606598
商品其它信息
优势价格,MRFX1K80N-230MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 32 kB flash 8 kB RAM 32 GPIO
260:¥30.8942
520:¥29.1201
1,040:¥28.7359
参考库存:39931
无线和射频半导体
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2,500:¥115.26
参考库存:39936
无线和射频半导体
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10:¥1,822.7239
参考库存:39941
无线和射频半导体
射频接收器 3.5mm Accessory Management IC with Impedance Detection with debounce time=300ms and SWD threshold=22%
2,500:¥5.2545
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无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
7:¥2,172.1877
10:¥2,137.1464
25:¥2,060.0804
参考库存:39948
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