HMC-ALH313-SX详细参数_参考价格_HMC-ALH313-SX PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	27 GHz to 33 GHz
P1dB - 压缩点	12 dBm
增益	20 dB
工作电源电压	2.5 V
NF—噪声系数	3 dB
工作电源电流	52 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC-ALH313
封装	Waffle
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	2
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF8S7235NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2	250:¥723.7537	参考库存:43790
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2729GN-270	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor	5:¥4,459.7145	参考库存:43800
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TQP887052	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5.15-5.85MHz FE for 802.11acn apps	2,500:¥14.5996 5,000:¥5.8647 10,000:¥5.4805	参考库存:43810