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无线和射频半导体
NESG270034-EV09-AZ参考图片

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NESG270034-EV09-AZ

  • CEL
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  • 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
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数量单价合计
1
¥1,056.55
1056.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
2.8 V
集电极连续电流
750 mA
安装风格
SMD/SMT
类型
RF Silicon Germanium
商标
CEL
Pd-功率耗散
1.9 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NESG270034-EV09-AZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth low energy wireless system-on-chip
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
参考库存:26863
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
1:¥103.8922
10:¥95.5076
25:¥91.5978
100:¥80.682
500:¥71.7663
参考库存:5210
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO MCM (9.6-10.8 GHz)
1:¥500.3075
5:¥492.3862
10:¥475.2554
25:¥459.6614
参考库存:4787
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko QFN68 2.4G 10db Mesh Multi-Protocol 512kB 64kB(RAM) 46GPIO
1:¥56.6356
10:¥53.4829
25:¥51.867
50:¥50.3302
参考库存:5389
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 13.6dB -40C +105C
1:¥22.2836
25:¥16.7466
100:¥13.1419
250:¥10.7576
3,000:¥8.3733
参考库存:41321
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