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无线和射频半导体
AFT09MS031NR1参考图片

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AFT09MS031NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V
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数量单价合计
1
¥103.8922
103.8922
10
¥95.5076
955.076
25
¥91.5978
2289.945
100
¥80.682
8068.2
500
¥71.7663
35883.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
18.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
764 MHz to 941 MHz
系列
AFT09MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
零件号别名
935314747528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,AFT09MS031NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4GHz 5W GaN Drain Eff. 68%
1:¥185.5686
25:¥160.5165
100:¥138.8544
250:¥129.0912
参考库存:7142
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
500:¥14.6787
参考库存:8704
无线和射频半导体
射频接收器 Db-Config Recvr Digi Baseband Processing
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
3,000:¥14.5996
参考库存:15866
无线和射频半导体
锁相环 - PLL XTAL-HCSL CLK GNRTR
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
2,500:¥12.2944
参考库存:16708
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 6 - 9 GHz Fout
1:¥322.4229
5:¥313.2812
10:¥300.8286
25:¥279.1552
参考库存:5655
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