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无线和射频半导体
A2T23H200W23SR6参考图片

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A2T23H200W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:29,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥521.5854
521.5854
5
¥511.9804
2559.902
10
¥498.7707
4987.707
25
¥488.9284
12223.21
150
¥433.5358
65030.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
51 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935347117128
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格,A2T23H200W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
65:¥128.481
100:¥124.7859
250:¥113.8023
500:¥106.4234
参考库存:43383
无线和射频半导体
RFID应答器 330bit R/W-RFID IDIC 330pF 150um
2,381:¥2.0792
参考库存:43388
无线和射频半导体
RFID应答器 SL3S1003FUD/UNCASED//BG/WAFER SAWN FFC NDP NO MARK
96,000:¥0.34578
192,000:¥0.33787
参考库存:43393
无线和射频半导体
射频接收器 AM/FM/HD Radio receiver with RDS
416:¥75.6874
832:¥72.9189
1,248:¥70.0826
参考库存:43398
无线和射频半导体
射频前端 802.11B G N AC, 2GHZ TX RX FEIC, PA, LNA
2,500:¥4.9833
5,000:¥4.8025
参考库存:1168075
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