HMC814-SX详细参数_参考价格_HMC814-SX PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Broadband Amplifier
技术	GaAs
工作频率	13 GHz to 24.6 GHz
P1dB - 压缩点	-
增益	-
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	-
工作电源电流	88 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC814G
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	7 dB
Pd-功率耗散	782 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	2
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5.5 V
电源电压-最小	4.5 V

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PTFB183404F-V2-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1:¥1,281.0019 50:¥1,281.0019	参考库存:24043
ADF9010BCPZ-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 RFID RF IC	750:¥107.0336	参考库存:24048
ADF7023BCPZ-RL	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Hi Perf Lo Pwr ISM FSK/GFSK/MSK/GMSK	5,000:¥22.0576	参考库存:24053
BCM20740A2KMLG	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4	1:¥18.1365 10:¥16.3624 25:¥14.5996 100:¥13.1419	参考库存:24058
AGR09130EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB	1:¥963.4154 5:¥884.0442 10:¥793.373 25:¥702.7018	参考库存:24063