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SD3933

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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1081.6021
5
¥1,060.392
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10
¥1,010.9884
10109.884
25
¥989.6992
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
29 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M177
封装
Bulk
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
28.96 mm
工作频率
200 MHz
系列
SD3933
类型
RF Power MOSFET
宽度
14.1 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
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