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无线和射频半导体
QPD2731SR参考图片

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QPD2731SR

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
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数量单价合计
100
¥925.1536
92515.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
316 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2731EVB1.0
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2731SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2170MHZ 4W TO270WB16
500:¥345.4749
参考库存:24392
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High VTG Charge Pump
2,500:¥24.8939
参考库存:24397
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Dual Integer-N 0.5 GHz/3.0 GHz
150:¥33.5045
300:¥31.4253
525:¥28.589
1,050:¥24.4306
2,550:¥24.1255
参考库存:24402
无线和射频半导体
RFID应答器 Multi-Standard High Freq RFID Read/Writ
250:¥29.2783
500:¥26.5889
1,000:¥22.3627
2,500:¥21.2892
参考库存:24407
无线和射频半导体
衰减器 Attn=8db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:24412
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