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无线和射频半导体
PD84002参考图片

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PD84002

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
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数量单价合计
1
¥32.8152
32.8152
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.1255
2412.55
250
¥22.8938
5723.45
2,500
¥16.5206
41301.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84002
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,PD84002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.7912
500:¥4.2375
4,500:¥2.9606
参考库存:6215
无线和射频半导体
射频接收器 XM Satellite Radio Receiver
1:¥69.382
25:¥54.3304
100:¥52.9405
250:¥49.3358
500:¥47.8668
参考库存:5927
无线和射频半导体
射频放大器 10-300MHz NF 3.0dB Gain 16.0dB
1:¥1,111.2646
参考库存:35447
无线和射频半导体
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1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
参考库存:35452
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU CY8C4128FNI-BL573T
1:¥48.025
10:¥43.2564
25:¥39.4144
50:¥36.4199
2,000:¥24.973
参考库存:35457
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