HMC609LC4TR详细参数_参考价格_HMC609LC4TR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

公司名：微信：

库存：24,275(价格仅供参考)

数量	单价	合计
100	¥471.3343	47133.43
200	¥457.5822	91516.44

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-24
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	2 GHz to 4 GHz
P1dB - 压缩点	21.5 dBm
增益	20 dB
工作电源电压	6 V
NF—噪声系数	3.5 dB
OIP3 - 三阶截点	36.5 dBm
工作电源电流	170 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC609G
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	1.1 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

优势价格，HMC609LC4TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC1133LP5ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	相位探测器 / 移相器 5.2-5.9 GHz, 6-bit digital phase shifter	500:¥601.8154	参考库存:29210
AD8339ACPZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 DC to 50MHz Quad I/Q	750:¥113.8023	参考库存:29215
DU2840V	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	1:¥613.4092 5:¥552.0954	参考库存:29220
ADF4001BCPZ-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 200 MHz Clock Gen IC	1,500:¥20.2835	参考库存:29225
MRF8VP13350NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP	250:¥1,019.9719	参考库存:29230