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无线和射频半导体
3SK292(TE85R,F)参考图片

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3SK292(TE85R,F)

  • Toshiba
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMQ-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK292
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
优势价格,3SK292(TE85R,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .1-3.8GHz NF .75dB Gain 15dB
1:¥10.7576
10:¥10.2152
100:¥9.4468
250:¥8.3733
2,500:¥3.6047
参考库存:26012
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-8 GHz GaAs
1:¥345.0907
25:¥298.4443
50:¥289.0766
100:¥279.7767
参考库存:4169
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 2.4G 19 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
1:¥82.829
10:¥78.2186
25:¥75.9134
50:¥73.5404
参考库存:5211
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:17618
无线和射频半导体
射频放大器 2-20GHz NF <2dB SSG >17dB RL >10dB
1:¥722.296
25:¥645.456
100:¥576.30
参考库存:5195
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