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无线和射频半导体

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HMC-ALH435

  • Analog Devices / Hittite
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  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 5 - 20 GHz
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数量单价合计
50
¥458.5088
22925.44
100
¥427.3886
42738.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
5 GHz to 20 GHz
P1dB - 压缩点
16 dBm
增益
13 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
2.2 dB
OIP3 - 三阶截点
25 dBm
工作电源电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH435G
封装
Gel Pack
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
5 dB
Pd-功率耗散
0.45 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH435的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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无线和射频半导体
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10:¥49.7878
25:¥47.4826
100:¥41.2676
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1,000:¥0.82942
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1:¥249.3458
100:¥249.3458
参考库存:5736
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